型号:

BZX884-C39,315

RoHS:无铅 / 符合
制造商:NXP Semiconductors描述:DIODE ZENER 39V 250MW SOD882
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
BZX884-C39,315 PDF
产品目录绘图 Regulator SOD-882 Top
Regulator SOD-882 Circuit
标准包装 1
系列 -
电压 - 齐纳(标称)(Vz) 39V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 50nA @ 27.3V
容差 ±5%
功率 - 最大 250mW
阻抗(最大)(Zzt) 130 欧姆
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-882
供应商设备封装 SOD-882
包装 标准包装
工作温度 -65°C ~ 150°C
其它名称 568-1810-6
相关参数
SE07PG-E3/84A Vishay General Semiconductor DIODE ESD 0.7A 400V DO-220AA
173D104X0050U Vishay Sprague CAP TANT 0.1UF 50V 20% AXIAL
173D825X9010VE3 Vishay Sprague CAP TANT 8.2UF 10V 10% AXIAL
1808HA330KAT1A AVX Corporation CAP CER 33PF 3KV 10% NP0 1808
REF43GSZ-REEL7 Analog Devices Inc IC VREF SERIES PREC 2.5V 8SOIC
173D685X9010VE3 Vishay Sprague CAP TANT 6.8UF 10V 10% AXIAL
1808HA330KAT1A AVX Corporation CAP CER 33PF 3KV 10% NP0 1808
173D685X9006VE3 Vishay Sprague CAP TANT 6.8UF 6V 10% AXIAL
BZX884-C39,315 NXP Semiconductors DIODE ZENER 39V 250MW SOD882
173D685X0010VE3 Vishay Sprague CAP TANT 6.8UF 10V 20% AXIAL
AISC-0603-R011G-T Abracon Corporation INDUCTOR CHIP 11NH 2% SMD
1808HA330KAT1A AVX Corporation CAP CER 33PF 3KV 10% NP0 1808
173D684X9035VE3 Vishay Sprague CAP TANT 0.68UF 35V 10% AXIAL
173D684X0035VE3 Vishay Sprague CAP TANT 0.68UF 35V 20% AXIAL
BZX884-C39,315 NXP Semiconductors DIODE ZENER 39V 250MW SOD882
1808CC393KAT1A AVX Corporation CAP CER 0.039UF 630V X7R 1808
173D565X9010VE3 Vishay Sprague CAP TANT 5.6UF 10V 10% AXIAL
REF43GSZ-REEL7 Analog Devices Inc IC VREF SERIES PREC 2.5V 8SOIC
1808CC393KAT1A AVX Corporation CAP CER 0.039UF 630V X7R 1808
173D565X9006VE3 Vishay Sprague CAP TANT 5.6UF 6V 10% AXIAL